漢磊科技股份有限公司 54389725

基本資料
統一編號54389725
公司名稱漢磊科技股份有限公司
公司狀況核准設立
登記機關國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局
代表人姓名徐建華
公司所在地新竹科學園區新竹縣寶山鄉創新1路18號1樓
核准設立日期2014年10月1日
最後核准變更日期2023年8月23日
董監事名單
職稱董事長
姓名徐建華
所代表法人
16857774勝璽投資股份有限公司
出資額16,294,539
職稱董事
姓名許金榮
所代表法人
16857774勝璽投資股份有限公司
出資額16,294,539
職稱董事
姓名沈孝廉
所代表法人
12138114漢民科技股份有限公司
出資額18,160,870
職稱董事
姓名陳溪新
所代表法人
12138114漢民科技股份有限公司
出資額18,160,870
職稱董事
姓名蘇建吉
所代表法人
23471761維善投資股份有限公司
出資額1,771,450
職稱董事
姓名范桂榮
所代表法人
23471761維善投資股份有限公司
出資額1,771,450
職稱獨立董事
姓名顏志達
所代表法人
出資額0
職稱獨立董事
姓名柯宗羲
所代表法人
出資額0
職稱獨立董事
姓名鄧茂松
所代表法人
出資額0
經理人名單
所營事業資料
CC01080電子零組件製造業
I501010產品設計業
IZ99990其他工商服務業(線性積體電路及混合型積體電路之測試)
I199990其他顧問服務業(磊晶應用諮詢顧問服務及半導體雜質分佈研究之諮詢服務)
F401010國際貿易業
1. 以下各項目及其應用產品之研究發展、設計、製造、銷售、推廣及售後服務:
(1)磊晶、矽晶片製造及銷售
(2)磊晶應用諮詢顧問服務
(3)半導體雜質分佈研究之諮詢服務
(4)線性積體電路製造服務及測試
(5)混合型積體電路(Mixed Mode IC)之製造及測試
2.研究及開發下列製程技術以從事六吋矽晶圓代工服務:
(1)溝槽式高功率場效電晶體(Trench Power MOSFET)及絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)製程
(2)0.5um以下雙載子製程(Bipolar)
(3)0.5um以下雙極性互補金氧半導體製程(Bicmos)
(4)高功率積體電路製程(Bipolar, CMOS, Diffusion; BCD)
資本總額(元)5,000,000,000
實收資本額(元)3,332,157,470
章程所訂外文公司名稱EPISIL TECHNOLOGIES INC.
每股金額(元)10
已發行股份總數(股)333,215,747
複數表決權特別股
對於特定事項具否決權特別股
股權狀況僑外資
代表人是 徐建華 的公司資料
03188020華信通運有限公司新北市中和區中山路3段39號7樓之8
16130388嘉晶電子股份有限公司新竹科學園區新竹市東區篤行1路10號
22099343台灣高技股份有限公司新竹科學園區新竹縣寶山鄉創新1路17號
22855584欣亞育樂事業有限公司臺北市中正區羅斯福路3段84巷21號4樓之1
24951824建鑫資產管理有限公司基隆市仁愛區復興街57-4號
28810749威諾投資股份有限公司新竹市埔頂里埔頂路18號9樓之3
42586264鉅祐實業有限公司桃園市蘆竹區坑口里南山北路2段382號
42650167澕磐開發投資顧問有限公司臺北市大安區和平東路2段145號
47299902漢磊科技股份有限公司新竹科學園區新竹縣創新1路18號
53374983欣瑞晟國際貿易有限公司桃園縣桃園市大興里民富九街76之1號2樓
54389725漢磊科技股份有限公司新竹科學園區新竹縣寶山鄉創新1路18號1樓
80679755鴻璟工程有限公司臺北市內湖區康樂街111巷9號3樓
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